光刻工藝
光刻的原理是在硅片表面覆蓋一層具有高度光敏感性光刻膠，再用光線（一般是紫外光、深紫外光、極紫外光）透過(guò)掩模照射在硅片表面，被光線照射到的光刻膠會(huì)發(fā)生反應(yīng)。此后用特定溶劑洗去被照射/未被照射的光刻膠， 就實(shí)現(xiàn)了電路圖從掩模到硅片的轉(zhuǎn)移。光刻工藝對(duì)極小污染物的控制苛刻到極致，同時(shí)嚴(yán)控過(guò)濾產(chǎn)品的金屬離子析出。最強(qiáng)耐腐蝕全氟濾芯采用進(jìn)口PTFE膜，進(jìn)口PTFE支撐層，全氟骨架經(jīng)過(guò)特殊結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)而制成適用于光刻膠的終端過(guò)濾。